Hiển thị các bài đăng có nhãn so sánh. Hiển thị tất cả bài đăng
Hiển thị các bài đăng có nhãn so sánh. Hiển thị tất cả bài đăng

Thứ Bảy, 27 tháng 4, 2013

Những điều cần biết về Pin

Ngày nay hầu như mọi người đều phụ thuộc vào Pin, chúng ta sử dụng Pin ở khắp mọi nơi – trong ô tô, điện thoại, laptop, máy nghe nhạc…



Vì thế trong bài báo này chúng ta sẽ cùng tìm hiểu cách thức sử dụng Pin trong các thiết bị điện cũng như những cách để khai thác chúng hiệu quả nhất.

Lịch sử phát triển của Pin hiện đại bắt đầu vào năm 1800 khi nhà vật lý người Italia Alessandro Volta phát minh ra Pin Volta. Volta đã xếp chồng nhiều tấm kim loại kẽm và bạc xen kẽ ( điện cực ) được ngăn cách bởi các tấm bìa nhúng nước muối ( chất điện môi ) . Khi hai tấm trên cùng và dưới cùng được kết nối bằng dây dẫn, một dòng điện sẽ chạy qua dây dẫn và chồng kim loại. Khi chồng kim loại ngày càng được chất cao, lực điện cũng trở nên mạnh hơn.

Pin hoạt động ra sao

Theo cách hiểu đơn giản nhất thì Pin là một thiết bị chuyển hóa năng lượng hóa học thành năng lượng điện. Các loại Pin ngày nay như Pin AA, C hay D đều có 2 cực. Một là cực dương (+) và một là cực âm (-). Bên trong Pin chứa các thành phần hoạt động giống như chồng kim loại mà Volta đã sử dụng, tức các tấm kim loại để làm điện cực và một chất có tác dụng như nước muối để làm chất điện phân. Các điện cực không tiếp xúc với nhau nhưng được nối lại bằng chất điện phân.

Khi bạn nối một dây dẫn giữa hai cực âm và dương, các điện tử ( Electron ) sẽ chạy từ cực âm đến cực dương. Khi một thiết bị điện như bóng đèn đươc nối với Pin, nó sẽ hoạt động được nhờ dòng điện chạy qua.

Lực điện chạy qua các cực của một ngăn Pin được gọi là điện áp điện cực và được tính bằng Volt ( V ) . Độ lớn của điện áp phụ thuộc vào các phản ứng hóa học bên trong ngăn Pin, vì thế việc sử dụng các hóa chất khác nhau sẽ cho ra các điện áp khác nhau.

Các loại Pin

Pin ngày nay được sử dụng trong rất nhiều thiết bị và được chia làm hai nhóm chính: không sạc lại được và sạc lại được.



Hai loại Pin này tạo ra điện năng theo cùng một cách. Khác biệt là ở chỗ Pin không sạc lại được sẽ cạn khi nguồn cung chất phản ứng hóa học không còn. Còn Pin sại lại được thì có thể sạc lại và sử dụng lại bằng cách cung cấp điện cho Pin và đảo ngược các phản ứng hóa học, khôi phục lại trạng thái ban đầu và làm Pin có thể sử dụng lại. Tuy nhiên, do chất phản ứng đã bị hao mòn, chất điện phân mất đi và tình trạng gỉ sét bên trong nên các Pin này chỉ có thể được sạc lại một số lần nhất định.

Pin không sạc được

Pin Kẽm-Carbon, còn gọi là Pin Carbon chuẩn được sử dụng trong nhiều loại Pin khô AA, C và D. Các điện cực làm từ Kẽm và Carbon. Chất điện phân là hỗn hợp axit. Các Pin này tạo ra điện áp 1.5 V.

Pin Alkaline thường được các hãng như Duracell hay Energizer chế tạo. Điện cực làm từ Kẽm và Oxit Mangan. Điện phân là Alkaline, cũng có điện áp 1.5 V.

Pin sử dụng một lần chỉ có thể sử dụng cho đến khi cạn hết và vứt đi, thường dùng trong các thiết bị cầm tay có dòng điện thấp và được sử dụng liên tục như đồng hồ và điều khiển từ xa. Pin dùng một lần thường không đủ cho các thiết bị hao Pin như máy ảnh kỹ thuật số. Tuy nhiên ngày nay một số loại Pin cao cấp dùng một lần đã được cải tiến để sử dụng cho các thiết bị này.

Pin sạc được

Ví dụ như Pin Axit- Chì trong ô tô, điện cực làm từ chì và oxit chì, còn chất điện phân là axit đặc.

Trong Pin Nickel-Cadmium (NiCd), điện cực là Hidroxit Nickel và Cadmium, còn chất điện phân là Hidroxit Potassium.

Pin NiCd có thể tạo ra dòng điện mạnh và sạc trong thời gian ngắn ở điện áp cao, nhưng chúng cũng có nhược điểm gọi là hiệu ứng nhớ. Khi một Pin NiCd được sạc mà chưa xả hết, các tinh thể sẽ phát triển trong Pin, làm giảm dung lượng Pin và rất khó gỡ. ( chúng tôi đã có bài chi tiết về hiệu ứng này trong trang Web cũ , bạn nên tìm đọc để biết thêm )

Pin Hydrua Kim loại - Nickel (NiMH) đang thay thế Pin Nickel-Cadmium bởi chúng cũng có tính năng tương tự nhưng không gặp hiệu ứng nhớnhư trong Pin Nickel-Cadmium.

Cả 2 loại Pin này đều sinh ra điện áp 1.2 V, thấp hơn một chút so với Pin Kẽm-Carbon hay Pin Alkaline. Tất cả các Pin sạc đều mất đần điện năng. Ví dụ như khi không sử dụng, Pin Hydrua Kim loại - Nickel sẽ tự mất từ 20% đến 50% điện năng trong vòng 6 tháng. Các nhân tố như nhiệt độ nơi lưu trữ cũng ảnh hưởng đến tốc độ này.

Pin Ion Lithium (Li-ion) lại dùng Lithium và Carbon làm điện cực. Chúng có tỉ lệ điện năng / khối lượng rất tốt và tốc độ tự hao hụt khi không sử dụng thấp, vì thế chúng thường được dùng trong laptop và điện thoại cao cấp.

Các Pin sạc như NiMH khi bán ra thường chưa có điện và bạn phải sạc trước khi dùng, nhưng giờ đây một số Pin sạc sẵn đã xuất hiện.

Pin chuyên dụng

Ngoài ra còn có một số loại Pin chuyên dụng, cả không sạc được và sạc lại được. Pin Lithium-Iodide có thời gian sử dụng rất lâu, còn Pin Oxit Kẽm- Thủy ngân lại dùng trong dụng cụ trợ thính.

Pin công nghệ cao

Pin được phát minh từ gần 2 thế kỷ trước và vẫn tiếp tục được cải tiến không ngừng để có chất lượng tốt hơn. Các hãng sản xuất Pin cũng cải tiến quy trình sản xuất cũng như thành phần hóa học của chúng để tạo ra những loại Pin nhẹ hơn và dùng được lâu hơn.

Energizer cho biết họ đã phát triển được loại Pin AA và AAA có thời gian sử dụng lâu nhất thế giới mang tên Energizer Ultimate Lithium. Chúng dùng được gấp 8 lần thời gian so với Pin thông thường và nặng bằng 2/3 so với Pin Alkaline chuẩn, chịu được nhiệt độ từ -40º C đến 60º C, thời gian lưu trữ suốt 15 năm và cấu trúc chống rò rỉ. Loại Pin này hướng đến các thiết bị cao cấp như camera và máy MP3, thiết bị định vị cầm tay và những bộ phận chiếu sáng Flash.

Duracell cũng có một loại Pin mang tên Ultra PowerPix được thiết kế bằng công nghệ độc quyền NiOx để tạo ra nhiều năng lượng hơn cho các thiết bị cần nhiều điện năng. Họ cho biết loại Pin Ultra PowerPix này cho phép bạn chụp gấp đôi số ảnh so với Pin Alkaline thông thường. Pin PowerPix dựa trên công thức Nickel Oxy Hydroxide.

Còn Panasonic thì đã sản xuất loại Pin Oxyride dùng Dioxit Mangan và Than chì cải tiến, giúp kéo dài thời gian sử dụng Pin. Pin Oxyride cũng dùng công nghệ hút chân không để đưa nhiều chất điện phân hơn vào từng viên Pin. Các loại Pin này chụp được gấp đôi số ảnh so với dùng Pin Alkaline thông thường.

Sự thật về Pin mà bạn nên biết:
  • Tất cả các loại Pin đều tự mất điện năng theo thời gian – ngay cả khi không sử dụng. 
  • Nhiệt độ càng thấp, tốc độ tự mất điện năng càng chậm. 
  • Mặc dù nhiều người vẫn đông lạnh Pin như một cách bảo quản, nhưng hầu hết các nhà sản xuất không khuyên bạn làm điều này. 
  • Nếu bạn đông lạnh Pin, phải đưa nó về nhiệt độ trong phòng trước khi sử dụng. 
  • Sử dụng hoặc cất giữ Pin ở nhiệt độ cao, hoặc dùng chúng ở nhiệt độ thấp có thể ảnh hưởng đến điện áp của Pin và giảm chất lượng Pin. 
  • Không nên để Pin trong túi áo hoặc túi xách, chúng có thể bị ảnh hưởng bởi các vật kim loại như chìa khóa, đồng xu hay kẹp giấy, tạo ra nhiệt và có thể gây rò rỉ và làm bị thương người sử dụng. 
  • Pin làm có thành phần hóa học khác nhau không bao giờ được sử dụng chung trên cùng một thiết bị. 
  • Pin cũ không nên dùng chung với Pin mới. 
  • Pin sạc lại và không sạc lại không nên dùng chung với nhau. 
  • Các thiết bị tốn Pin như camera số sẽ có thời gian dùng Pin ngắn hơn so với các thiết bị ít tốn Pin như đồng hồ. 
  • Pin Alkaline không bị rò rỉ trong điều kiện sử dụng và bảo quản bình thường. Tuy nhiên nguy cơ rò rỉ sẽ tăng đáng kể nếu dùng chung các Pin có thành phần khác nhau, hoặc dùng chung Pin cũ và Pin mới. 
  • Nhiêt độ cao cũng làm tăng nguy cơ rò rỉ. 
  • Pin bị rò rỉ rất nguy hiểm và không được phép tiếp xúc trực tiếp với da. 
  • Đừng bao giờ cố sạc lại Pin không sạc. Điều này chỉ làm tăng nguy cơ rò rỉ và làm hỏng Pin. 
  • Để tăng tối đa thời gian sử dụng, các Pin sạc đã lâu không sử dụng nên được sạc lại trước khi dùng. 
  • Nên tháo Pin khỏi các thiết bị không dùng đến trong vài tháng. 
  • Tất cả các Pin sạc nên được tái chế.

Phân biệt DDR, DDR2 và DDR3 ?

Trước khi bắt đầu, bạn cần biết rằng DDR, DDR2 và DDR3 đều dựa trên thiết kế SDRAM ( Bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động đồng bộ - Synchronous Dynamic Random Access Memory), tức là sử dụng tín hiệu xung nhịp để đồng bộ hóa mọi thứ. DDR là viết tắt của Tốc độ dữ liệu gấp đôi - Double Data Rate , tức truyền được hai khối dữ liệu trong một xung nhịp, . Như vậy bộ nhớ DDR có tốc độ truyền dữ liệu cao gấp đôi so với những bộ nhớ có cùng tốc độ xung nhịp nhưng không có tính năng này ( được gọi là bộ nhớ SDRAM, hiện không còn sử dụng cho PC nữa).

Nhờ tính năng này mà trên nhãn của những thanh nhớ thường ghi tốc độ tốc gấp đôi so với tốc độ đồng hồ xung nhịp thực . Ví dụ bộ nhớ DDR2-800 làm việc ở tốc độ 400 MHz, DDR2-1066 và DDR3-1066 làm việc ở tốc độ 533 MHz, DDR3-1333 ở 666.6 MHz ...



Hình 1: Tín hiệu xung nhịp và mode DDR

Cần nhớ rằng các tốc độ xung nhịp này là tốc độ tối đa mà bộ nhớ chính thức có được; chứ không thể tự động chạy ở những tốc độ như vậy. Ví dụ, nếu bạn dùng bộ nhớ DDR2-1066 lên một máy tính chỉ có thể (hoặc bị cấu hình nhầm) truy cập hệ thống ở tốc độ 400 MHz (800 MHz DDR), thì những bộ nhớ này chỉ có thể truy cập tại 400 MHz (800 MHz DDR) chứ không phải 533 MHz (1,066 MHz DDR). Đó là do tín hiệu xung nhịp được mạch điều khiển bộ nhớ cung cấp, mà mạch điều khiển bộ nhớ lại nằm ngoài bộ nhớ (trong Chip NorthBridge ở bo mạch chủ hoặc tích hợp bên trong CPU, tùy vào từng hệ thống ).

Trên lý thuyết, bộ nhớ DDRx-yyyy (trong đó x là thế hệ công nghệ, còn yyyy là tốc độ xung nhịp DDR) chỉ có thể sử dụng cho chip bộ nhớ.

Những thanh nhớ ( Module ) -- bảng mạch điện tử nhỏ gắn những Chip nhớ -- sử dụng một cái tên khác: PCx-zzzz, trong đó x là thế hệ công nghệ, còn zzzz là tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết (còn gọi là băng thông tối đa). Con số này cho biết bao nhiêu Byte dữ liệu có thể được truyền từ mạch điều khiển bộ nhớ sang Module bộ nhớ trong mỗi xung nhịp đồng hồ .

Bài toán này rất dễ giải bằng cách nhân xung nhịp DDR tính bằng MHz với 8, ta sẽ có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết tính bằng MB/giây. Ví dụ, bộ nhớ DDR2-800 có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là 6,400 MB/giây (800 x 8) và Module bộ nhớ mang tên PC2-6400. Trong một số trường hợp, con số này được làm tròn. Ví dụ như bô nhớ DDR3-1333 có tốc độ truyền tải tối đa trên lý thuyết là 10,666 MB/giây nhưng module bộ nhớ của nó lại có tên PC3-10666 hoặc PC3-10600 tùy nhà sản xuất.

Cần phải hiểu rằng những con số này chỉ là số tối đa trên lý thuyết, và trên thực tế chúng không bao giờ đạt đến, bởi bài toán chúng ta đang tính có giả thiết rằng bộ nhớ sẽ gửi dữ liệu đến mạch điều khiển bộ nhớ theo từng xung nhịp một, mà điều này thì không xảy ra. Mạch điều khiển bộ nhớ và bộ nhớ cần trao đổi lệnh (ví dụ như lệnh hướng dẫn bộ nhớ gửi dữ liệu được chứa tại một vị trí nhất định) và trong suốt thời gian này bộ nhớ sẽ không gửi dữ liệu.

Trên đây là lý thuyết cơ bản về bộ nhớ DDR, hãy đến với những thông tin cụ thể hơn.

Tốc độ

Một trong những khác biệt chính giữa DDR, DDR2 và DDR3 là tốc độ truyền dữ liệu lớn nhất của từng thế hệ. Dưới đây là danh sách tốc độ chung nhất cho từng thế hệ. Một số nhà sản xuất đã tạo ra được những loại chip lớn hơn cả tốc độ trong bảng–ví dụ như các bộ nhớ đặc biệt hướng tới giới overclock. Những xung nhịp có đuôi 33 hoặc 66MHz thực ra đã được làm tròn (từ 33.3333 và 66.6666).



Điện áp

Bộ nhớ DDR3 hoạt động ở điện áp thấp hơn so với DDR2, DDR2 lại dùng điện áp thấp hơn DDR. Như vậy bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện hơn DDR2, và DDR2 tiêu thụ ít hơn DDR.

Thường thì bộ nhớ DDR sử dụng điện 2.5 V, DDR2 dùng điện 1.8 V và DDR3 là 1.5 V (mặc dù các module cần đến 1.6 V hoặc 1.65 V rất phổ biến và những chip chỉ yêu cầu 1.35 V trong tương lai cũng không phải là hiếm). Một số module bộ nhớ có thể yêu cầu điện áp cao hơn trong bảng, nhất là khi bộ nhớ hỗ trợ hoạt động ở tốc độ xung nhịp cao hơn tốc độ chính thức (ví dụ như bộ nhớ để overclock).





Thời gian trễ

Thời gian trễ là khoảng thời gian mà mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi từ lúc yêu cầu lấy dữ liệu cho đến lúc dữ liệu thực sự được gửi tới đầu ra . Nó còn được gọi là CAS Latency hoặc đơn giản là CL. Con số này được viết theo đơn vị chu kỳ xung nhịp. Ví dụ một bộ nhớ có CL3 tức là mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 3 chu kỳ xung nhịp từ lúc truy vấn cho đến khi dữ liệu được gửi. Với một bộ nhớ CL5, mạch điều khiển bộ nhớ phải đợi 5 chu kỳ xung nhịp . Vì thế cần sử dụng những Module có CL thấp nhất có thể.


Hình 2: Latency.

Bộ nhớ DDR3 có nhiều chu kì xung nhịp trễ lớn hơn bộ nhớ DDR2, và DDR2 lại có nhiều chu kì xung nhịp trễ cao hơn DDR. Bộ nhớ DDR2 và DDR3 còn có thêm một chỉ số nữa gọi là AL (Thời gian trễ bổ sung – Additional Latency ) hoặc đơn giản là A. Với bộ nhớ DDR2 và DDR3, tổng thời gian trễ sẽ là CL+AL. May thay gần như toàn bộ các bộ nhớ DDR2 và DDR3 đều có AL 0, tức là không có thêm thời gian trễ bổ sung nào cả. Dưới đây là bảng tổng hợp giá trị CL phổ biến nhất.



Như vậy bộ nhớ DDR3 cần hoãn nhiều chu kỳ xung nhịp hơn so với DDR2 mới có thể chuyển được dữ liệu, nhưng điều này không hẳn đồng nghĩa với thời gian đợi lâu hơn (nó chỉ đúng khi so sánh các bộ nhớ cùng tốc độ xung nhịp).

Ví dụ, một bộ nhớ DDR2-800 CL5 sẽ hoãn ít thời gian hơn (nhanh hơn) khi chuyển dữ liệu so với bộ nhớ DDR3-800 CL7. Tuy nhiên, do cả hai đều là bộ nhớ “800 MHz” nên đều có cùng tốc độ truyền tải lớn nhất trên lý thuyết (6,400 MB/s). Ngoài ra cũng cần nhớ rằng bộ nhớ DDR3 sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn so với bộ nhớ DDR2.

Khi so sánh các module có tốc độ xung nhịp khác nhau, bạn cần phải tính toán một chút. Chú ý rằng chúng ta đang nói đến “chu kỳ xung nhịp.” Khi xung nhịp cao hơn, chu kỳ từng xung nhịp cũng ngắn hơn.

Ví dụ với bộ nhớ DDR2-800, mỗi chu kỳ xung nhịp kéo dài 2.5 nano giây, chu kỳ = 1/tần số (chú ý rằng bạn cần sử dụng xung nhịp thực chứ không phải xung nhịp DDR trong công thức này; để đơn giản hơn chúng tôi đã tổng hợp một bảng tham khảo dưới đây). Vì thế một bộ nhớ DDR2-800 có CL 5 thì thời gian chờ ban đầu này sẽ tương đương 12.5 ns (2.5 ns x 5). Tiếp đến hãy giả sử một bộ nhớ DDR3-1333 với CL 7. Với bộ nhớ này mỗi chu kỳ xung nhịp sẽ kéo dài 1.5 ns (xem bảng dưới), vì thế tổng thời gian trễ sẽ là 10.5 ns (1.5 ns x 7). Vì vậy mặc dù thời gian trễ của bộ nhớ DDR3 có vẻ cao hơn (7 so với 5), thời gian chờ thực tế lại thấp hơn. Vì thế đừng nghĩ rằng DDR3 có thời gian trễ tệ hơn DDR2 bởi nó còn tùy thuộc vào tốc độ xung nhịp. 



Thường thì nhà sản xuất sẽ công bố Timings bộ nhớ theo dạng một dãy số được phân chia bởi dấu gạch ngang (như 5-5-5-5, 7-10-10-10…). Thời gian trễ CAS thường là số đầu tiên trong chuỗi. Hình 3 và 4 dưới đây là một ví dụ. 



Hình 3: DDR2-1066 có CL 5.

Prefetch – Lấy trước dữ liệu

Bộ nhớ động chứa dữ liệu bên trong một mảng gồm nhiều tụ điện nhỏ. Bộ nhớ DDR truyền được 2 bit dữ liệu với mỗi chu kỳ từ mảng bộ nhớ tới bộ đệm I/O bên trong bộ nhớ . Quy trình này gọi là Prefetch 2-bit. Trong DDR2, đường dữ liệu bên trong này được tăng lên tới 4-bit và trong DDR3 là 8-bit. Đây chính là bí quyết giúp DDR3 hoạt động được ở tốc độ xung nhịp cao hơn DDR2, và DDR2 cao hơn DDR.

Xung nhịp mà chúng ta đang nói đến là tốc độ xung nhịp ở “thế giới bên ngoài,” có nghĩa là trên giao diện I/O từ bộ nhớ, nơi mà bộ nhớ và mạch điều khiển bộ nhớ liên lạc với nhau. Tuy nhiên bên trong thì bộ nhớ làm việc hơi khác một chút.

Để hiểu rõ hơn điều này hãy so sánh một chip bộ nhớ DDR-400, chip bộ nhớ DDR2-400 và Chip bộ nhớ DDR3-400 (cứ giả sử rằng bộ nhớ DDR3-400 có tồn tại). 3 chip này bên ngoài hoạt động ở tốc độ 200 MHz, truyền 2 bit dữ liệu mỗi chu ky, đạt tốc độ ngoài như thể đang hoạt động ở 400 MHz. Tuy nhiên bên trong, chip DDR truyền được 2 bit từ mảng bộ nhớ đến bộ nhớ đệm I/O, vì thế để khớp với tốc độ giao diện I/O, đường dữ liệu này phải hoạt động ở 200 MHz (200 MHz x 2 = 400 MHz). Do trong DDR2 đường dữ liệu này được tăng từ 2 lên 4 bit nên nó có thể chạy ở tốc độ bằng một nửa tốc độ xung nhịp nhằm đạt tốc độ y hệt (100 MHz x 4 = 400 MHz). Với DDR3 cũng vậy: đường dữ liệu được tăng gấp đôi lên 4 bit, vì thế nó có thể chạy ở tốc độ xung nhịp bằng một nửa so với DDR2, hoặc chỉ bằng ¼ tốc độ xung nhịp của DDR, và cũng đạt tốc độ như vậy (50 MHz x 8 = 400 MHz).


Hình 5: Prefetch dạng n-bit

Việc nhân đôi đường dữ liệu bên trong sau từng thế hệ đồng nghĩa với việc mỗi thế hệ bộ nhớ mới có thể có chip với tốc độ xung nhịp tối đa gấp đôi so với thế hệ trước đo. Ví dụ 3 bộ nhớ DDR-400, DDR2-800 và DDR3-1600 đều có cùng tốc độ xung nhịp bên trong bằng nhau (200 MHz).

Điểm đầu cuối trở kháng

Với bộ nhớ DDR, điểm cuối trở kháng có điện trở đặt trên bo mạch chủ, còn trong DDR2 và DDR3 thì điểm cuối này nằm bên trong chip bộ nhớ -- ngôn ngữ kỹ thuật gọi là ODT ( On-Die Terminal ) .

Việc này nhằm mục đích giúp tín hiệu trở nên “sạch hơn “ – ít bị nhiễu hơn do hạn chế tín hiệu phản xạ tại những diểm đầu cuối . Trong hình 6 bạn có thể thấy được tín hiệu chạm đến chip bộ nhớ. Bên tay trái là những tín hiệu trên một hệ thống sử dụng điểm cuối ở bo mạch chủ ( bộ nhớ DDR ), còn bên tay phải là tín hiệu trên một hệ thống sử dụng ODT (bộ nhớ DDR2 và DDR3). Và rõ ràng tín hiệu bên phải sẽ trong hơn và ổn định hơn bên tay trái. Trong ô màu vàng bạn có thể so sánh chênh lệch về khung thời gian – tức thời gian mà bộ nhớ cần đọc hay ghi một phần dữ liệu. Khi sử dụng ODT, khung thời gian này sẽ rộng hơn, cho phép tăng xung nhịp bởi bộ nhớ có nhiều thời gian đọc hoặc ghi dữ liệu hơn. 


Hình 6: So sánh giữa điểm kết trên bo mạch chủ và ODT.

Khía cạnh hình thức bên ngoài

Cuối cùng ta sẽ đến với sự khác biệt về thiết kế bên ngoài. Mỗi chip bộ nhớ đều được hàn trên một bo mạch vòng gọi là “module bộ nhớ.” Module bộ nhớ cho từng thế hệ DDR có sự khác nhau về thông số và bạn không thể cài module DDR2 lên khe cắm DDR3 được. Bạn cũng không thể nâng cấp từ DDR2 lên DDR3 mà không thay thế bo mạch chủ và sau đó là CPU, trừ khi bo mạch chủ của bạn hỗ trợ cả khe cắm DDR2 và DDR3 (hiếm đấy). Với DDR và DDR2 cũng vậy. Module DDR2 và DDR3 có cùng số chạc, tuy nhiên khe cắm nằm ở vị trí khác nhau.




Khác biệt về điểm tiếp xúc giữa DDR và DDR2



Khác biệt về tiếp xúc góc giữa DDR2 và DDR3.

Tất cả các chip DDR2 và DDR3 đều đóng gói kiểu BGA, còn DDR thì đóng gói kiểu TSOP. Có một số chip DDR đóng gói kiểu BGA (như của Kingmax), nhưng không phổ biến cho lắm. Trong hình 9 là một chip TSOP trên module DDR, còn hình 10 là chip BGA trên module DDR2.


Chip DDR gần như lúc nào cũng đóng gói kiểu TSOP



DDR2 và DDR3 đóng gói kiểu BGA.

Thứ Ba, 23 tháng 4, 2013

Đánh giá Máy in Canon 2900 - Ưu điểm và những Lỗi thường gặp

Máy in Canon 2900 mặc dù ra đời được 5,6 năm rồi nhưng hiện tại vẫn là Dòng máy in A4 được nhiều người ưa thích sử dụng vì sự tiện lợi và tính kinh tế của nó, tuy nhiên, vẫn có một số lỗi thường gặp khi sử dụng. Bài viết này sẽ cung cấp cho bạn một số thông tin cơ bản về Máy in Canon 2900


Gía máy in Canon 2900 giá khoảng 2.850.000đ


Thông số Kỹ thuật của Máy in Canon 2900
Hãng sản xuất CANON
Cỡ giấy A4
Độ phân giải 2400x600dpi
Tốc độ in (Tờ/phút) 12tờ
Khay đựng giấy(Tờ) 150tờ
Loại cổng kết nối • USB2.0
Nguồn điện sử dụng • 220V - 240V
Kích thước(mm) 370 x 251 x 217mm
Khối lượng(Kg) 5.7

Ưu điểm của Máy in Canon 2900
- Máy in A4 Laser đen trắng
- Hoạt động tương đối ổn định, sử dụng khá bền
- Gía cả tương đối tốt, tầm 2.850.000đ
- Hộp mực in không kén mực, giá đổ mực rẻ, đổ mực máy in Canon 2900 khoảng 80.000đ
- Mực in ra đều, bản in đậm nét, dễ điều chỉnh
- Tốc độ in tương đối nhanh so với các máy in cùng loại thông thường
- Thay thế Linh kiện dễ dàng, không bản quyền, nhiều hàng.
- Phù hợp với Gia đình, Văn phòng, Công ty nhu cầu in ít.

Lỗi thường gặp khi dùng Máy in Canon 2900
- Cỡ 2,3 tuần không sử dụng thì máy sẽ báo lỗi dây không kết nối mặc dù dây vẫn cắm bình thường
- Đổ được 2, 3 bình mực rồi thì bắt đầu xuất hiện vệt đen ở mép bên trái bản in
- Cài Driver máy in Canon 2900 xong thì bấm "Ready to Print" không được
- Đổ bình mực đầu tiên thì khi in được khoảng 200 tờ thì xuất hiện hiện tượng bị đen hết phần lề bên trái khoảng 2cm
- Một số lỗi khác

Hầu hết các lỗi này đều liên quan đến Driver và hư hỏng các Linh kiện của Máy in Canon 2900 như Drum (trống), Cổng USB, trục từ ... do cũ hoặc do cách sử dụng.

Phân biệt Access Point, Wireless Router và Wireless Modem

Phân biệt các loại Bộ phát Wifi  thông thường theo tìm hiểu thì gồm 3 loại: Access Point, Wireless Router và Wireless Modem

1. Access point:
Chỉ có cổng LAN, cắm vào là phát, không cần phải cấu hình.

Nhược điểm: Không cấu hình được password vì vậy độ bảo mật, cá nhân là không có, bất kỳ máy tính nào cũng có thể bắt trộm wifi.

2. Wireless Router: 

Loại này mặt sau gồm 1 cổng WAN (trong cái hộp thì nó ghi là cổng internet) và nhiều cổng LAN, trong cái cổng WAN ngoại trừ tô xanh ra thì nó vẫn dùng giắc như cổng LAN thường, dùng để nối từ modem đến nó, các cổng còn lại để chia sẻ đến nhiều máy.


Wireless Router có thể cấu hình được nhiều thứ với cái này và tất nhiên có thể đặt được password.

3. Wireless Modem

Loại này cũng giống như wireless Router nhưng tích hợp cả Modem vào trong luôn, lấy thẳng dây net từ nhà mạng cắm vào, vừa tính năng share mạng lan (nhiều cổng lan), vừa phát wifi, có thể nói là tích hợp nhiều tính năng nhất trong 3 cái và cũng đắt nhất luôn.



Loại này các Khách sạn lớn, nhiều tầng thường sử dụng để phát cho toàn Khách sạn.

Điểm khác biệt giữa Wirelesss Access Point và Wireless Router

Bạn nên sử dụng Access Point hay Wireless Router? Nếu không cần sử dụng internet mà chỉ cần nối kết tất cả các máy trong nhà lại bằng hệ thống wireless thì chúng ta sử dụng Wireless Access Point vì nó rẻ tiền hơn. Còn nếu bạn muốn nối kết tất cả các máy trong nhà lại và vào được luôn internet cùng một lúc thì bạn sử dụng wireless router. Trong trường hợp của bạn thì bạn chỉ cần mua một wireless router của một trong những công ty uy tín như D-Link, SMC, Netgear hoặc Linksyslà đủ. Wireless router sẽ nằm giữa hệ thống LAN của bạn và DSL modem để nối kết 4 computer của bạn vào internet cùng một lúc.


Wireless Access Point kết nối đến một hub, switch hoặc một router cho truy cập không dây trong khi Wireless Broadband Router có khả năng vừa là điểm thu/phát sóng cho truy cập không dây vừa có tính năng định tuyến để chia sẻ kết nối băng thông (internet).


DBS M05479
Quang Cao